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低溫霍爾效應測量磁場應用 KANG Static Insert SN 150
上海伯東代理英國 NanoMagnetics 儀器霍爾效應測量系統為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測量提供了一個創新的解決方案. 可用于測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數, 導電類型等重要參數, 是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的工具.
如下是某知名大學低溫霍爾效應測量案例
1. 測試樣品: NMI 標準樣品, P15-A
2. 應用電流 1e- 4a
3. VDP 測量的外加磁場為 1T
4. 在 1.5K 時, 磁場掃描 為 0 - 5T - 0 循環
霍爾效應測試儀器
英國 NanoMagnetics 霍爾效應測試儀 支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣 |
英國 NanoMagnetics 霍爾效應測量系統, 電阻測量結果
300K 時 電阻測量結果 |
電阻溫度圖 |
|
ContactLead |
Resistance [Ohm] |
|
1-2-1-2 |
3.62E +03 |
|
3-4-3-4 |
3.62E +03 |
|
1-3-1-3 |
3.87E +03 |
|
2-4-2-4 |
3.93E +03 |
|
*1-2 和 3-4 電阻幾乎相同. 1-3 和2-4 ( 對角線 ) 電阻幾乎相同 |
冷卻和加熱圖顯示了相同的結果, 因此, 塞諾克斯傳感器和樣品根據靜態插入的位置是合適的, 否則圖就不一樣了. 此外,測量結果是可重復的. [I+I-V+V-] 觸點引線為 [1-2-4-3] |
在 1.5K 時霍爾效應 Van der Pauw 測量結果
接觸頭 [I+I-V+V-] |
電阻率 [Ohm.cm] |
Sh.電阻 [Ohm/sq] |
Carr.Density [/cc] |
HallCoeff. [cc/C] |
Mobility [cm^2/(V.s)] |
CarrType [+/-] |
1-2-3-4 |
3.54E - 04 |
3.54E + 02 |
6.00E + 17 |
1.04E + 01 |
2.94E + 04 |
-1.00E +00 |
2-3-4-1 |
3.54E - 04 |
3.54E + 02 |
6.00E + 17 |
1.04E + 01 |
2.94E + 04 |
-1.00E +00 |
電阻磁場圖
霍爾系數 - 溫度圖
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