上海 射頻離子源 RFICP 140閱讀數: 7439
KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內獲得很高的離子密度.
|
型號 |
RFICP 140 |
|
Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
|
離子束流 |
>600 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
14 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
5-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
24.6 cm |
|
直徑 |
24.6 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
上海伯東版權所有, 翻拷必究！